06N03la datasheet на русском

Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. Воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска (datasheet) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта .

IPD06N03LA MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IPD06N03LA

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Время нарастания (tr): 7.2 ns

Выходная емкость (Cd): 800 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO252

IPD06N03LA Datasheet (PDF)

IPD06N03LA IPF06N03LA IPS06N03LA IPU06N03LA OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS • Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 5.7 mΩ DS(on),max • Qualified according to JEDEC1) for target application I 50 A D • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C

1.2. ipd06n03lbg.pdf Size:294K _infineon

IPD06N03LB G OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS • Ideal for high-frequency dc/dc converters R 6.1 mΩ DS(on),max • Qualified according to JEDEC1) for target applications I 50 A D • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Very low on-resistance R DS(on) PG-TO252-3 • Superior thermal resistance • 175 �

5.1. ipd060n03l.pdf Size:521K _infineon

Читайте также:  Что такое штырь в андроиде

Type IPD060N03L G IPF060N03L G IPS060N03L G IPU060N03L G OptiMOS™3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS • Fast switching MOSFET for SMPS R 6 mΩ DS(on),max • Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Very lo

# ! ! � #:A0 : %?88, >5 ?B=1 =1H Q H35 D 71D5 381B75 H @B?4E3D ( & D n) Q .5BI B5C9CD1>35 D n) Q T ?@5B1D9>7 D5=@5B1DEB5 Q )2 6B55 7 + ?", 3?=@ D 1) Q * E1 7 D? $ 6?B D1B75D 1@@ Q #451 3I CG9D389>7 1>4 CI>38B?>?EC B53D96931D9?> Type #) ‘ ‘ ! Packag

# # &! # #:A0 : %?88, 7 * :3@@7> ;@ * % m D n) m x 1) R + F3>;8;76 355AC6;@9 $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D 11 R U AB7C3E;@9 E7?B7C3EFC7 D ?7 D R G3>3@5:7 E7DE76 R *4 8C77 , A"- 5A?B>;3@E :3>A97@ 8C77 G? O ? R 3BB>;53E;A@D BAH7C ?3@397?7@E Type Package Marking 0,/ 1 492= 3E U F@

pe % # ! % # ! %’ # ! %) # ! % (>.;?6?@<> %> E Features D R 3DE DH;E5:;@9 ‘) – . 8AC -‘*- mW D n) m x R ) BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CD D 1) R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D R ( 5:3@@7> >A9;5 >7G7> R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ) ‘ D n) R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n) R G3>3@5:7 C3E76 R *4 8C77 B>3E;@9 Type #* ( & ! #* ( & ! #*- (

pe % # ! % # ! %’ # ! %) # ! % (>.;?6?@<> %> E Features D S !4EF EI

Semiconductor Pinout Informations

06N03LA – IPB06N03LA – Power Transistor

Part Number : 06N03LA

Manufactures : Infineon Technologies Corporation

1 page

2 page

IPB06N03LA IPI06N03LA, IPP06N03LA OptiMOS®2 Power-Transistor Features • >2|I D|R DS(on)max, I D=30 A 25 1,2 1,6 0,1 2 1 µA V 1,8 62 40 K/W Values typ. max. Unit 26 10 10 7,9 7,6 5,2 4,9 1,2 52 100 100 9,9 9,5 6,2 5,9 Ω S nA mΩ 1) Current is limited by bondwire; with an R thJC=1.8 K/W the chip is able to carry 91 A. See figure 3 T j,max=150 °C and duty cycle D

Оцените статью
Добавить комментарий

Adblock detector