13001 S8d транзистор характеристики

Биполярный транзистор 13001 S8D нашел широкое применение в сфере радиоэлектронике малой мощности. Производителем его является компания «SHENZHEN JTD ELECTRONICS». Выпускается он в пластиковом корпусе типа ТО-92 со следующий цоколевкой:

  1. Эмиттер
  2. Коллектор
  3. База

Зарекомендовал себя как качественный продукт, с почти не ограниченным сроком службы при эксплуатации в условиях не превышающий допустимых значений.

Характеристики и аналоги 13001 S8D

Транзистор 13001S8D имеет следующие предельные значение ( Tj = 25 ℃, если не указано иное):

Параметр Условное обозначение Значение Единица измерения
Напряжение коллектор-база VCBO 600 V
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO 400 V
Напряжение Эмиттер-База VEBO 7 V
Ток коллектора Ic 0.5 A
Полная рассеиваемая мощность Pc 0.65 W
Температура хранения Tstg -65

150

℃ Температура соединения Tj 150 ℃

Также приведем электрические параметры:

Параметр Условное обозначение Условия испытаний Min Max Единица измерения
Напряжение пробоя коллектор-база BVCBO Ic=0.5mA,Ie=0 600 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер BVCEO Ic=10mA,Ib=0 400 V
Напряжение пробоя базы эмиттера BVEBO Ie=1mA,Ic=0 7 V
Ток отсечки коллекторной базы ICBO Vcb=600V,Ie=0 100 μA
Ток отключения коллектор-эмиттер ICEO Vce=400V,Ib=0 20 μA
Ток отсечки эмиттер-базы IEBO Veb=7V,Ic=0 100 μA
Усиление постоянного тока hFE Vce=20V,Ic=20mA 10 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) Ic=200mA,Ib=100mA 0.6 V
Напряжение насыщения базы-излучателя VBE(sat) Ic=200mA,Ib=100mA 1.2 V
Время хранения Ts Ic=0.1mA, (UI9600) 2 μS
Время падения fT VCE =20V,Ic=20mA
f=1MHZ
0.8 μS

Аналоги 13001 S8D являются схожие по всем техническим значения биполярные NPN Транзисторы.

Биполярный транзистор 13001 S8D нашел широкое применение в сфере радиоэлектронике малой мощности. Производителем его является компания «SHENZHEN JTD ELECTRONICS». Выпускается он в пластиковом корпусе типа ТО-92 со следующий цоколевкой:

  1. Эмиттер
  2. Коллектор
  3. База

Зарекомендовал себя как качественный продукт, с почти не ограниченным сроком службы при эксплуатации в условиях не превышающий допустимых значений.

Читайте также:  Шаблон анкеты для опроса word

Характеристики и аналоги 13001 S8D

Транзистор 13001S8D имеет следующие предельные значение ( Tj = 25 ℃, если не указано иное):

Параметр Условное обозначение Значение Единица измерения
Напряжение коллектор-база VCBO 600 V
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO 400 V
Напряжение Эмиттер-База VEBO 7 V
Ток коллектора Ic 0.5 A
Полная рассеиваемая мощность Pc 0.65 W
Температура хранения Tstg -65

150

℃ Температура соединения Tj 150 ℃

Также приведем электрические параметры:

Параметр Условное обозначение Условия испытаний Min Max Единица измерения
Напряжение пробоя коллектор-база BVCBO Ic=0.5mA,Ie=0 600 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер BVCEO Ic=10mA,Ib=0 400 V
Напряжение пробоя базы эмиттера BVEBO Ie=1mA,Ic=0 7 V
Ток отсечки коллекторной базы ICBO Vcb=600V,Ie=0 100 μA
Ток отключения коллектор-эмиттер ICEO Vce=400V,Ib=0 20 μA
Ток отсечки эмиттер-базы IEBO Veb=7V,Ic=0 100 μA
Усиление постоянного тока hFE Vce=20V,Ic=20mA 10 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) Ic=200mA,Ib=100mA 0.6 V
Напряжение насыщения базы-излучателя VBE(sat) Ic=200mA,Ib=100mA 1.2 V
Время хранения Ts Ic=0.1mA, (UI9600) 2 μS
Время падения fT VCE =20V,Ic=20mA
f=1MHZ
0.8 μS

Аналоги 13001 S8D являются схожие по всем техническим значения биполярные NPN Транзисторы.

Номер в каталоге : 13001S8D

функция : TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

Производитель : JTD Semi

цоколевка :

Оцените статью
Добавить комментарий

Adblock detector