Биполярный транзистор KSC5027 – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSC5027
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220
KSC5027 Datasheet (PDF)
1.1. ksc5027.pdf Size:53K _fairchild_semi
KSC5027 High Voltage and High Reliability � High Speed Switching � W >1.2. ksc5027.pdf Size:24K _samsung
KSC5027 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY TO-220 HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A 1.Base 2.Collector 3.Emitter C
1.3. ksc5027f.pdf Size:74K _samsung
KSC5027F NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING TO-220F W >1.4. ksc5027.pdf Size:88K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSC5027 DESCRIPTION · ·With TO-220C package ·High voltage and high reliability ·High speed switching ·W >
Форум по AVR
кремниевый высоковольтный транзистор N-P-N проводимости.
Применяется в высоковольтных коммутаторах и генераторах.
c5027 Имеет высокую скорость переключения.
Цоколевка транзистора c5027: 
Параметры тразистора 2SC5027:
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 35
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO220
Маркировки транзистора других производителей
2SC5027 (Toshiba)
KSC5027 (Fairchild)
Чем заменить c5027?
KSC5027F, 2SC3866, 2SC5353, BUT11A, C5027-R, C5027F-R
Скачать C5027 datasheet 
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
| Юмор: Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора C5027SЭта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора C5027S . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний |
| Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
| 1250 | 700 | 600 | 9 | 2000 | 150 | 5000000 | 5-40 |
Производитель: ATE
Сфера применения:
Популярность: 10626
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора C5027S
| Общий вид транзистора C5027S. | Цоколевка транзистора C5027S. |
 |  |
Обозначение контактов:
Международное: C – коллектор, B – база, E – эмиттер.
Российское: К – коллектор, Б – база, Э – эмиттер.
Дата создания страницы: 2016-02-11 09:48:42.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора C5027S.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.